Theo GSMArena, một tin đồn vừa gây chấn động thế giới công nghệ, cho thấy Qualcomm đang chuẩn bị một cú hích hiệu năng chưa từng có cho con chip flagship tiếp theo của mình. Theo chuyên gia rò rỉ tin nổi tiếng Digital Chat Station (DCS) trên mạng xã hội Weibo, Snapdragon 8 Elite 2 đang được thử nghiệm với tốc độ xung nhịp CPU đạt mức kỷ lục khoảng 5 GHz.
Snapdragon 8 Elite sẽ có xung nhịp cao nhất trong lịch sử chip di động?
ẢNH: CHỤP MÀN HÌNH NOTEBOOK CHECK
Chip Snapdragon 8 Elite 2 sắp tạo cột mốc lịch sử với xung nhịp 5 GHz?
Con số 5 GHz, nếu trở thành hiện thực, sẽ phá vỡ mọi giới hạn hiện tại của một bộ vi xử lý di động (kỷ lục hiện tại là 4,47 GHz) và bỏ xa các đối thủ cạnh tranh. Tuy nhiên, DCS cũng đã làm rõ rằng đây mới chỉ là tần số trong giai đoạn thử nghiệm để xác thực thiết kế. Tốc độ xung nhịp cuối cùng khi ra mắt sẽ được quyết định dựa trên sự cân bằng giữa hiệu năng và mức tiêu thụ điện năng. Dù vậy, nó vẫn được kỳ vọng sẽ cao hơn đáng kể so với thế hệ tiền nhiệm.
Động thái này cho thấy một chiến lược hoàn toàn khác biệt của Qualcomm so với các đối thủ. Trong khi các tin đồn cho thấy MediaTek Dimensity 9500 và Samsung Exynos 2500 sẽ có xung nhịp loanh quanh mức 3,2 – 3,3 GHz, Qualcomm lại chọn con đường đẩy tốc độ xung nhịp thô lên mức cao nhất có thể.
Tất nhiên, tốc độ không phải là tất cả. Snapdragon 8 Elite 2 được cho là sẽ trang bị lõi Oryon thế hệ thứ hai với hiệu năng cao hơn 25%, cùng với GPU Adreno 840 mạnh hơn 30% và có nhiều bộ nhớ đệm hơn. Các kết quả đo hiệu suất benchmark bị rò rỉ ban đầu cũng cho thấy một bước nhảy vọt về điểm số so với Snapdragon 8 Elite hiện tại.
Qualcomm đã dời sự kiện Snapdragon Summit lên sớm hơn, dự kiến diễn ra từ ngày 23 – 25.9.2025. Tất cả những bí mật về con chip di động được mong chờ nhất năm sẽ sớm được vén màn.